Nahezu perfekte Halbleiter-Kristalle in einem Silizium-Nanodraht einzubetten, dies ist Forschern des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR), der Technischen Universität (TU) Wien und der Marie-Sklodowska-Universität Lublin gelungen. Mit der neuen Methode zur Herstellung von Hybrid-Nanodrähten könnten in Zukunft sehr schnelle und multifunktionale Recheneinheiten auf einem einzigen Chip untergebracht werden. Die Forschungsergebnisse werden in der Zeitschrift „Nano Research“ publiziert.

Die Nano-Optoelektronik gilt als Grundpfeiler zukünftiger Chiptechnik, doch die Forschung steht dabei vor großen Herausforderungen: Einerseits müssen die elektronischen Bauelemente auf immer kleinerem Raum untergebracht werden. Andererseits sollen auch sogenannte Verbindungs-Halbleiter in die üblichen Materialien eingebettet werden. Denn im Gegensatz zu Silizium besitzen solche Halbleiter besonders bewegliche Ladungsträger und könnten so die Leistungsfähigkeit modernster siliziumbasierter CMOS-Technik verbessern.

Wissenschaftler des HZDR, der TU Wien und der Marie-Sklodowska-Universität Lublin sind nun beiden Zielen einen Schritt näher gekommen: Sie integrierten Verbindungs-Halbleiter-Kristalle aus Indiumarsenid (InAs) in Silizium-Nanodrähte, welche sich ideal für die Konstruktion immer kompakterer Chips eignen.

Bislang lag in dieser Integration der Kristalle das größte Problem solcher „Hetero-Nanodrähte": Oberhalb des Nanometer-Bereiches sorgten Fehlanpassungen der Kristallgitter stets für sehr viele Defekte. Die Forscher erreichten jetzt erstmals eine nahezu perfekte Erzeugung und Einbettung der InAs-Kristalle in die Nanodrähte.

Implantierte Atome bilden Kristalle in der Flüssigphase

Zum Einsatz kamen dabei die Ionenstrahlsynthese und eine Wärmebehandlung mit Xenon-Blitzlampen, beides Techniken, bei denen das Ionenstrahlzentrum des HZDR über langjährige Erfahrung verfügt. Zunächst mussten die Wissenschaftler eine gewisse Menge an Atomen präzise per Ionenimplantation in die Drähte einbringen. Innerhalb von nur 20 Millisekunden erfolgte dann die Wärmebehandlung des Siliziumdrahtes in seiner Flüssigphase. „Eine nur etwa 15 Nanometer dicke Siliziumoxid-Hülle hält den flüssigen Nanodraht in seiner Form“, erklärt der HZDR-Forscher Dr. Slawomir Prucnal, „während die implantierten Atome die Indiumarsenid-Kristalle bilden.“

Dr. Wolfgang Skorupa, der Leiter der Forschungsabteilung, fügt hinzu: „Die Atome diffundieren in der flüssigen Siliziumphase so schnell, dass sie innerhalb von wenigen Millisekunden makellose Einkristalle mit nahezu perfekten Grenzflächen zur Umgebung bilden.“ Als nächsten Schritt wollen die Wissenschaftler das Einbringen von Fremdatomen noch besser kontrollieren und zudem Größe und Verteilung der Kristalle optimieren.


Den Artikel finden Sie unter:

http://www.hzdr.de/db/Cms?pNid=99&pOid=42414

Quelle: Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (07/2014)


Publikation:
Prucnal, S. et al. (just accepted, 7/2014). III-V semiconductor nanocrystal formation in silicon nanowires via liquid-phase epitaxy.  Nano Research. DOI 10.1007/s12274-014-0536-6 http://www.thenanoresearch.com/upload/justPDF/0536.pdf